半导体行业是国家经济发展的重要支撑。10月30日，全国半导体器件标准化技术委员会及分立器件分技术委员会四届四次会议暨昆山半导体产业高质量发展研讨会在昆举行。来自全国半导体器件领域的技术专家和企业代表齐聚昆山，共同探讨半导体器件的技术与标准，进一步发挥标准化在保障产业链供应链稳定强韧、促进互联互通、支撑安全可控发展中的关键作用。
会议回顾了过去一年的工作成果，分析了当前所面临的挑战与机遇，对6项最新发布的国家标准进行了解读与宣贯，并共同讨论了昆山半导体器件产业高质量发展路径与策略，以标准引领产业提升竞争力。
作为备受关注的新一代功率半导体器件，SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）正推动着电力电子领域的深刻变革。会上，复旦大学教授张清纯以《聚焦SiC MOSFET：核心技术迭代与未来趋势洞察》为题，带领与会人员一同探究这一前沿领域所面临的主要挑战和机遇。
产业发展，标准先行。昆山高度重视标准化工作，市场监管部门深入实施标准化战略，通过加强产业标准化前瞻布局，强化标准化工作基础支撑，充分发挥标准化对科技创新和产业发展的支撑引领作用，以高标准助力高技术创新、促进高水平开放、引领高质量发展。截至目前，昆山累计发布各类标准1823项，其中国际标准34项、国家标准1075项，标准化建设成果显著。
